| 研究課題/領域番号 |
18H01472
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
岩崎 孝之 東京工業大学, 工学院, 准教授 (80454031)
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| 研究分担者 |
波多野 睦子 東京工業大学, 工学院, 教授 (00417007)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2022-03-31
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| キーワード | 量子センサ / NVセンター / パワーデバイス |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、次世代低損失パワーデバイス実現に向けた量子センシングの基盤技術の開発を行った。ダイヤモンドデバイス内において、窒素－空孔（NV）センターを用いた新たな電界ベクトル計測の手法を提案し、逆バイアス印加下においてデバイス内の電界ベクトル計測に成功した。さらに、量子発光構造を用いた温度計測やNVセンターの電気的検出に関する基盤技術を開発した。
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| 自由記述の分野 |
電気電子材料・量子技術
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
パワーデバイスは社会の様々なシステムにおいて使用される半導体素子である。ダイヤモンドはその優れた物性から次世代の低損失パワーデバイスを形成する材料として期待されており、その動作の信頼性などをモニタリングする手法は重要となる。本研究で開発したダイヤモンドデバイスの量子センシング技術は、デバイス動作理解の新たな知見を与えることが期待でき、今後のダイヤモンドパワーデバイス技術の発展に寄与するものである。
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