強誘電トンネル接合(FTJ)の人工シナプスとしてのポテンシャル評価を目的に、BaTiO3を強誘電トンネル障壁層とするFTJによりスパイク時刻依存シナプス可塑性(STDP)特性を調べ、従来型の抵抗変化メモリを用いた素子に比べ、伝導度変化のばらつきが小さく、動作安定性の優れたSTDP人工シナプスとして機能することを実証した。また、表面平坦性塗膜厚均一性の高いHfO2系強誘電体薄膜の作製方法を開発し、同方法を用いて作製した膜厚2.4 nmのZrドープHfO2強誘電膜を強誘電トンネル障壁層とするFTJにおいて抵抗スイッチング効果を実証した。
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