原子層物質積層構造を用いた超高効率平面型電子放出デバイスの創出

研究成果発表報告書

• 研究課題/領域番号: 18H01505
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 村上 勝久 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (20403123)
• 研究分担者: 山田 洋一 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (20435598)
• 研究期間 (年度): 2018-04-01 – 2021-03-31

研究成果

• [産業財産権] 電子放出素子およびその製造方法 (2021)
  • 発明者名: 村上 勝久, 長尾 昌善
  • 権利者名: 産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: PCT/JP2021/010617
  • 外国
• [産業財産権] 電子放出素子およびその製造方法 (2021)
  • 発明者名: 村上 勝久, 長尾 昌善
  • 権利者名: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 21775491.0, 17/912,659, 202180022650.4
  • 外国