| 研究成果の概要 |
Bi-Sbトポロジカル絶縁体単結晶について、金属状態発現の条件を満たすバーガース・ベクトルを持つ転位を塑性変形により高密度に導入した。マイクロサンプルの電気抵抗測定の結果、転位伝導に起因する顕著な電気伝導率の低下が観測された。
また、Bi-Sbよりもバンドギャップが一桁大きく高いバルク絶縁性が期待できるPb-(Bi,Sb)-(Te,Se)系トポロジカル絶縁体について、バルク絶縁性を向上させることに成功し、ナノフレークの伝導測定により表面輸送特性を明らかにした。さらに、走査トンネル分光法により表面の電子状態や散乱機構を明らかにした。
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