Bi単原子層(ビスマセン)などの2DTI候補物質をMBE法を用いて作製しARPES実験を行うことで、それらのディラック電子物性およびトポロジカルに非自明なエッジ物性に関する研究を行った。2DTI作製のために半導体水素加熱装置を建設することで、清浄な水素終端SiC半導体表面を得ることに成功した。その表面にBi蒸着を行うことでビスマセン由来のLEED像を観測するとともに、ARPESによってビスマセン由来のホールバンドの観測に成功した。今後、ディラック電子におけるバンドギャップやエッジ物性解明を行う予定である。また本研究では、ヘテロ構造化による2DTIのディラック電子状態制御の新たな手法を開拓した。
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