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層状遷移金属ダイカルコゲナイドの単結晶超薄膜を低い基板温度でエピタキシャル成長することを目的として、反応性の高い高蒸気圧前駆体化合物を原料とする分子線エピタキシー装置を立ち上げ、成膜実験を進めた。その結果、二硫化タングステン、二硫化ニオブおよび二セレン化ニオブ薄膜を、合成雲母基板上などにエピタキシャル成長することに成功した。
また、原子層堆積装置を用いた成膜実験では、熱酸化シリコン基板上に予め微小な金属薄膜を蒸着することにより、結晶性の二硫化タングステン薄膜が、金属薄膜上だけでなくその外部の基板表面上においても、金属薄膜が無い場合と比べて低い温度で成長可能であることが見出された。
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