研究課題/領域番号 |
18H01875
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
研究代表者 |
荒船 竜一 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主任研究員 (50360483)
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研究分担者 |
高木 紀明 京都大学, 人間・環境学研究科, 教授 (50252416)
石田 浩 日本大学, 文理学部, 教授 (60184537)
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研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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キーワード | 表面分光 / レーザー / スピン軌道相互作用 / 非占有状態 |
研究成果の概要 |
レーザー光電子分光により、固体表面における占有・非占有状態の電子状態を調べ、光励起スピン流の性質とスピン軌道相互作用の影響を調べた。グラフェン/Ir(111)を主な測定対象とし、表面非占有状態の代表例である鏡像電荷バンドを詳細に測定した。
理論面ではエムベッディッド・グリーン関数法を発展させた。スピン軌道相互作用を考慮することを可能にし、さらにモアレ系を含む比較的大きなユニットセルでも半無限固体結晶表面の電子バンド構造を計算可能になった。
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自由記述の分野 |
表面科学
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
(光励起)スピン流研究の多くは、(正/逆)スピンホール効果に由来した伝導測定を用いた研究である。本研究はそれらの研究に対して分光学的側面から解明を目指したものであり、補完的な情報を提供できる。光励起状態はフェムト・ピコ秒オーダーの本質的に超高速現象であり、短パルスレーザーを用いる本手法は光励起スピン流の本質に直接アプローチ可能なものである。
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