研究課題
基盤研究(B)
太陽電池材料を見据えた鉛フリーペロブスカイト半導体として、Sn系、Ge系、ダブルペロブスカイト系に着目した。Ge系とダブルペロブスカイト系では、温度・圧力変化に対して特徴的な構造変化が生じ、それに伴う顕著な電子・光物性の変化を捉えた。また、Sn系ペロブスカイト太陽電池においては、共添加エンジニアリングを活用した複数の添加剤を提案し、Snイオンの酸化抑制とペロブスカイト膜質の著しい改善、それによる電力変換効率とデバイス安定性の向上を実現した。
応用物性
Sn系ペロブスカイト太陽電池において共添加剤による結晶安定化と高変換効率化及びデバイス安定化の指針を得ることができた点は、鉛フリーペロブスカイト太陽電池の実用化に向けて学術的且つ社会的意義がある。また、非鉛系ペロブスカイト半導体の単結晶を用いた精密物性測定により、構造物性と光・電子物性との相関を明らかにした点は、今後の鉛フリーペロブスカイト太陽電池の材料設計を行う上で貴重な知見となり、学術的意義がある。
