| 研究課題/領域番号 |
18H01891
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
西澤 伸一 九州大学, 応用力学研究所, 教授 (40267414)
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| 研究分担者 |
柿本 浩一 九州大学, 応用力学研究所, 教授 (90291509)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| キーワード | 結晶成長 |
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| 研究実績の概要 |
本研究では、以下を目的とする。
SiC単結晶の各種多形に関して、DFT法により、バルクエネルギーおよび各結晶表面での性的表面エネルギーの定量的解析を行う。さらに、結晶成長を模擬した速度論的検討を試み、各種成長面の挙動（表面吸着エネルギー、ドーパントによる表面安定化効果など。およびこれらの面包囲依存性。）を同様に、定量的に解析する。また、単結晶成長を実際に行い、DFT解析結果と比較検討することで、SiC多形の発生機構、多形制御物理を明らかにしていくとともに、特に４H-SiCを安定に成長させるための条件を提案、実証する。
目的を達成するために、2019年度においては、以下を行った。
・動的表面吸着エネルギー評価
昨年度までの静的表面エネルギー解析から優先的にと想定される結晶成長表面に対して、次層となる原子対がヘキサゴナルサイト、キュービックサイトのどちらに積層した場合が表面エネルギー的に安定化を検証した。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
動的表面吸着エネルギー解析に処理、４H-SiCの周期積層構造を安定化させるには、これまで経験的に報告されている、特定の表面、不純物が効果があることがで検証でき、予定い通りである。
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| 今後の研究の推進方策 |
当初の予定通りに進める。
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