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1. 磁気インピーダンス効果の機構解明を目的に、p型半導体高分子立体規則性ポリチオフェン（P3HT）を用いた単膜ダイオード（P3HT-OSD）について研究した。また、p型半導体立体規則性ポリチオフェン（P3HT）とn型半導体のフラーレン誘導体（PC60BM）を用いた単一接合太陽電池（P3HT|PC60BM-OSC）について研究した。
2. P3HT-OSDについては、酸化インジウム・スズ（ITO）電極とアルミニウム（Al）電極でP3HTを挟んだOSD（ITO|P3HT|Al）とITOとITOで挟んだOSD（ITO|P3HT|ITO）を作成し、磁気インピーダンスおよびマイクロ波共鳴実験を行った。解析したところP3HTと電極界面付近の再結合およびP3HT内部の再結合の存在を明らかにすることができた。得られた研究成果を専門雑誌で発表した。
3. PC60BMの膜厚が50 nmあるいは100 nmのP3HT|PC60BM-OSCを作成し、暗状態・明状態のインピーダンスを主に計測した。GとCの分散曲線が高周波数領域で、ステップ構造を示した点である。観測された分散曲線は、時定数の異なる2つのRC並列回路を直列連結した等価回路シミュレーションによって再現することができた。分散曲線の膜厚依存性より、時定数の遅いRC並列回路はPC60BM層に由来することを明らかにすることができた。一方、有意な磁気インピーダンスを観測することができなかった。
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