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本年度は、（１）平成30年度に作製法の確立を行った広い面積を占めるシリコンナノ周期配列の作製を東京大学マテリアル先端リサーチインフラ・データハブ拠点微細加工部門の技術代行により行った。条件出しを丁寧に行い作製条件を整えることで、課題となっていた設計通りの大きさと構造のシリコンのナノ微細構造の作製を実現させた。（２）不具合が生じていた多角入射分解分光法（MAIRS）を実施するためフーリエ変換型赤外分光光度計（FT-IR）の復旧をメーカーのエンジニアとともに行った。ペンタセンを標準試料とし、文献と同様のMAIRSスペクトルが得られるようになったことから、FT-IRがMAIRS法の測定が可能な状態に戻ったことを確認した。（３）シリコン平坦基板上にポリアクリル酸（PAA）薄膜をスピンコート法により作製し、作製した薄膜のMAIRS測定を行った。1700 cm-1付近に観測されるC=O伸縮振動に着目したところ、IPスペクトルとOPスペクトルとの間で大きなピークシフトをしていることが明らかとなった。このピークシフトは薄膜に特有な振動モードによるものと考え解析を進めている。（４）シリコンのナノ微細構造上に作製したPAA薄膜に対するMAIRS測定を行った。シリコンのナノ微細構造はラインアンドスペース構造であり、MAIRS測定は微細構造のラインに平行な偏光と垂直な偏光とを用いて測定を行った。同じ薄膜を測定しているにもかかわらず、垂直偏光のときに平行偏光のときより大きな吸収ピークが観測された。これはラインに垂直方向で赤外吸収の増強が起きていることを示している。これまで金属のナノ構造表面で起こると考えられてきた赤外吸収の増強が半導体ナノ構造表面でも起こることを示すことができた。現在、ラインアンドスペースの周期や深さを変えた測定を行い詳細な増強メカニズムの解明を目指した研究を進めている。
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