| 研究課題/領域番号 |
18H02044
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分35030:有機機能材料関連
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
森 健彦 東京工業大学, 物質理工学院, 教授 (60174372)
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| 研究分担者 |
角屋 智史 甲南大学, 理工学部, 助教 (70759018)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2022-03-31
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| キーワード | 有機トランジスタ / アンバイポーラトランジスタ / 電荷移動錯体 |
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| 研究成果の概要 |
広範囲の酸化還元電位や非常に狭いバンドギャップを容易に実現できる金属錯体や二成分の電荷移動錯体などを用いて新コンセプトの有機トランジスタ材料の開発を行った。金属に配位する原子をNO, NN, NSと変えることによってp型からアンバイポーラ型のトランジスタを実現した。多くの電荷移動錯体がトランジスタ特性を示すことを検証し、ドナーとアクセプターの分子軌道が直交することによってn型の特性が出現しやすいことを明らかにした。拡張骨格やフッ素化アルキル基の導入によってビロダニン系n型有機トランジスタ材料の大気安定性の向上を実現した。
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| 自由記述の分野 |
有機エレクトロニクス
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
フレキシブルエレクトロニクスの実現のために必須な有機トランジスタ材料としてはp型には優れたものが多いが、n型有機半導体には優れたものが少なく、特に大気中で安定に動作するn型有機トランジスタ材料が強く求められている。本研究では金属錯体や二成分の電荷移動錯体を用いて新しいコンセプトのn型・アンバイポーラ有機トランジスタ材料を開発した。また電荷移動錯体のトランジスタの研究により、有機エレクトロニクスの特性改善のために試みられているドーピングが伝導に与える影響について多くの知見を得ることができた。
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