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2018 年度 実績報告書

次世代不揮発性メモリに向けたd電子系相変化カルコゲナイドの開拓

研究課題

研究課題/領域番号 18H02053
研究機関東北大学

研究代表者

須藤 祐司  東北大学, 工学研究科, 准教授 (80375196)

研究分担者 齊藤 雄太  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (50738052)
研究期間 (年度) 2018-04-01 – 2021-03-31
キーワード相変化材料 / 相変化メモリ / アモルファス / 伝導機構
研究実績の概要

本研究では、Cu2GeTe3やCr2Ge2Te6といった遷移金属を含有するカルコゲナイド系相変化材料について、その物性や伝導機構変化、局所構造や結合状態変化を調査し、新タイプの相変化材料:d電子系相変化材料の相変化機構を解明する事を目的とし、本期間において以下の知見を得た。
(1)結晶化メカニズム
Cr2Ge2Te6アモルファスの結晶化過程について、示差走査熱量計を用いた非等温測定により、Ozawa法を用いて評価した。その結果、Cr2Ge2Te6アモルファスの結晶化のAvrami次数は昇温速度に殆ど影響せず、3程度を示す事が分かった。この事は、その結晶化は界面成長支配である事を示す。一方で、従来材のGe2Sb2Te5アモルファスは、同様の実験において大きなAvrami次数を示し、核生成支配により結晶化が進行する事を確認した。また、結晶化における速度定数を評価した所、Cr2Ge2Te6アモルファスの速度定数はGe2Sb2Te5のそれとほぼ同等であり、その結晶化速度は高速に進行する事が示された。以上より、Cr2Ge2Te6は、高い結晶化温度を示すと同時に、成長支配による高速結晶化が可能である事が分かった。
(2)伝導機構
低い電気抵抗を有する特異なCr2Ge2Te6アモルファスの伝導機構について、伝導の温度依存性から評価した。その結果、300K以上の温度領域ではバンド伝導、300K以下の温度領域では、ホッピング伝導により伝導している事が明らかとなった。更に、300K以下のホッピング伝導は、200K以上ではMott VRH伝導、200K以下ではEfros-Shklovskii VRH伝導に変化する事が分かった。また、Cr2Ge2Te6アモルファスでは、従来材料のように、フェルミ準位はバンドギャップの中央にピンニングされておらず、価電子帯の直上に位置している事が明らかとなった。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

2018年度は、特に、Cr2Ge2Te6に焦点をあて、その結晶化メカニズムを明らかにすると共に、Cr2Ge2Te6アモルファス相が有する特異な性質、即ち、一般的な相変化材料アモルファス相よりも極めて低い電気抵抗を有する特徴について、その伝導機構の観点から解析を行った。その結果、Cr2Ge2Te6アモルファスは、界面成長支配により結晶化が進行すること、アモルファス相の伝導機構は、300Kを境にバンド伝導とホッピング伝導に変化し、更に、200Kを境に、Mott-VRHとES-VRHに変化する事を明らかにし、伝導機構の観点からも従来材とは異なる事が分かってきた。また、一般的には、相変化材料のアモルファス相のフェルミ準位は、その不規則構造に由来して、バンドギャップの中央に位置(ピンニングされている)すると理解されているが、Cr2Ge2Te6アモルファスでは、そのフェルミ準位は価電子帯近傍に位置している事が明らかとなった。以上のように、Cr2Ge2Te6アモルファス相の伝導機構は、従来材とは異なる特徴を持っている事が示された。以上のように、d電子系相変化材料は、これまでのp電子系相変化材料とは、結晶化メカニズムや伝導メカニズムも異なる事を明らかにしており、今後の材料設計指針に重要な知見を与えるものであり、当初の計画通りに進展している。

今後の研究の推進方策

来年度も、引き続き、伝導機構について、特に、Cr2Ge2Te6の結晶相について解析を行い、相変化に伴う伝導機構の変化について議論する。また、d電子系相変化材料の化学結合や局所構造の観点から、その相変化メカニズムを解明する。その為、光電子分光測定やX線吸収微細構造測定を行う予定である。更に、Cr2Ge2Te6のみならず、Cu2GeTe3といったd電子系相変化材料のメモリ動作についても評価を進める。メモリ動作にあたっては、特に、動作エネルギーや動作速度に注目しながら評価を行う。更に、Cr2Ge2Te6では、アモルファス相の伝導機構が従来材とは異なる事が分かってきたが、この伝導機構の相違が、アモルファス中の電気抵抗のドリフト現象(材料をある温度で等温保持した時、電気抵抗が徐々に変化してしまう現象)に及ぼす影響を調査し、実用へのメリットデメリットを明確する予定である。

  • 研究成果

    (16件)

すべて 2019 2018 その他

すべて 国際共同研究 (1件) 雑誌論文 (6件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (9件) (うち国際学会 2件、 招待講演 1件)

  • [国際共同研究] Hanyang大学(韓国)

    • 国名
      韓国
    • 外国機関名
      Hanyang大学
  • [雑誌論文] Electrical transport mechanism of the amorphous phase in Cr2Ge2Te6 phase change material2019

    • 著者名/発表者名
      S. Hatayama, Y.Sutou, D. Ando, J. Koike, K. Kobayashi
    • 雑誌名

      Journal of Physics D: Applied Physics

      巻: 52 ページ: 105103-1-7

    • DOI

      doi.org./10.101088/1361-6463/aafa94

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Crystallization mechanism and kinetics of Cr2Ge2Te6 phase change material2018

    • 著者名/発表者名
      S. Hatayama, Y. Sutou, D. Ando, J. Koike
    • 雑誌名

      MRS Communications

      巻: 8 ページ: 1167-1172

    • DOI

      doi:10.1557/mrc.2018.176

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Phase change behavior of non-bulk resistance change N-doped Cr2Ge2Te6 phase change material2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Shuang, S. Hatayama, Y. Sutou, D. Ando, J. Koike, H. Tanimura, T. Ichitsubo
    • 雑誌名

      Proceedings of European Phase Change and Ovonic Symposium

      巻: 1 ページ: 143-144

  • [雑誌論文] Crystallization linetics of inverse resistance change Cr2Ge2Te62018

    • 著者名/発表者名
      S. Hatayama, Y. Sutou, D. Ando, J. Koike
    • 雑誌名

      Proceedings of European Phase Change and Ovonic Symposium

      巻: 1 ページ: 131-132

  • [雑誌論文] Non-isothermal crystallization kinetics of amorphous Cr2Ge2Te6 film2018

    • 著者名/発表者名
      S. Hatayama, Y. Sutou, D. Ando, J. Koike
    • 雑誌名

      Proceedings of Phase Change Oriented Science

      巻: 1 ページ: 75-76

  • [雑誌論文] Cr2Ge2Te6-based PCRAM showing low resistance amorphous and high resistance cyrtsalline states2018

    • 著者名/発表者名
      S. Hatayama, Y. Sutou, D. Ando, J. Koike
    • 雑誌名

      IECE Technical Report

      巻: 118 ページ: 21-26

  • [学会発表] 低抵抗アモルファスCr2Ge2Te6の電気伝導機構2019

    • 著者名/発表者名
      畑山 祥吾、須藤 祐司、安藤 大輔、小池 淳一、小林 啓介
    • 学会等名
      応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] 不揮発性相変化メモリ用遷移金属カルコゲナイド相変化材料の開発2019

    • 著者名/発表者名
      齊藤 雄太、畑山 祥吾、雙 逸、進藤 怜史、フォンス ポール、コロボフ アレクサンダー、小林 啓介、須藤 祐司
    • 学会等名
      応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] Contact resistance change memory with N-doped Cr2Ge2Te6 phase change material2019

    • 著者名/発表者名
      YI SHUANG、Yuji Sutou、Shogo Hatayama、Satoshi Shindo、Song Yunheub、Daisuke Ando、Junichi Koike
    • 学会等名
      応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] Non-isothermal crystallization kinetics of amorphous Cr2Ge2Te6 film2018

    • 著者名/発表者名
      Shogo Hatayama, Yuji Sutou, Daisuke Ando, and Junichi Koike
    • 学会等名
      相相変化研究会シンポジウム(PCOS)
  • [学会発表] 逆抵抗変化Cr2Ge2Te6相変化材料の結晶化メカニズム2018

    • 著者名/発表者名
      畑山 祥吾、須藤 祐司、安藤 大輔、小池 淳一、齊藤 雄太、進藤 怜史、ユン ヘブ ソン
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
  • [学会発表] 不揮発性メモリ用遷移金属相変化材料の電子構造の解明2018

    • 著者名/発表者名
      齊藤 雄太、須藤 祐司、フォンス ポール、コロボフ アレクサンダー、進藤 怜史、畑山 祥吾、雙 逸、コジーナ ゼニア、スケルトン ジョナサン、小林 啓介
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
  • [学会発表] 低抵抗アモルファス相と高抵抗結晶相を有するCr2Ge2Te6を用いた相変化メモリ2018

    • 著者名/発表者名
      畑山祥吾、須藤祐司、安藤大輔、小池淳一
    • 学会等名
      シリコン材料・デバイス研究会
    • 招待講演
  • [学会発表] Crystallization Kinetics of Inverse Resistance Change Cr2Ge2Te62018

    • 著者名/発表者名
      Shogo Hatayama, Yuji Sutou, Daisuke Ando, and Junichi Koike
    • 学会等名
      European Phase change and Ovonic Symposium
    • 国際学会
  • [学会発表] Phase change behavior of non-bulk resistance change N-doped Cr2Ge2Te6 phase change material2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Shuang, S. Hatayama, Y. Sutou, D. Ando, J. Koike, H. Tanimura, T. Ichitsubo
    • 学会等名
      European Phase change and Ovonic Symposium
    • 国際学会

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公開日: 2019-12-27  

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