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金属シリサイドの形成速度を抑制するためにCo-Ti添加が有用であることを見出した。CoSiはSiとエピタキシー関係を有し、酸化物を重ねて形成することでSBHを0.7eVから0.3eVに低減できた。また、SiO2の代わりに、バンドオフセットが小さいTiO2およびTiNbO2を用いることで、恒常的に0.3eV程度のSBHを得ることができたが、酸化膜自体の抵抗が高いため、みかけの接触抵抗率が高いままだった。ｎ型GaNに対しては、β-Ga2O3をGaNに形成すると、エピタキシー関係によるDIGSの低減と絶縁性酸化物であることによるMIGSの低減によって、通常より3桁低い接触抵抗率を得ることができた。
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