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2019 年度 実績報告書

結晶成長インフォマティクスの方法論の構築

研究課題

研究課題/領域番号 18H03839
研究機関名古屋大学

研究代表者

宇治原 徹  名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (60312641)

研究分担者 佐藤 正英  金沢大学, 総合メディア基盤センター, 教授 (20306533)
原田 俊太  名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 准教授 (30612460)
岡野 泰則  大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (90204007)
研究期間 (年度) 2018-04-01 – 2021-03-31
キーワード結晶成長 / 機械学習 / 最適化
研究実績の概要

本研究の目的は、素材開発のスピードを格段に向上させる素材プロセス・インフォマティクスを実現することであり、まずは超高品質SiC結晶成長を例に結晶成長インフォマティスの方法論を構築する。我々は溶液成長法を用いて圧倒的に高品質なSiC結晶を実現してきた。次は大口径化である。高品質化においては結晶成長表面に形成されるマクロステップ構造が鍵となる。しかし、適切なマクロステップを形成するためには、装置の制御パラメータなどの試行錯誤的な最適化というタフな段階が必要となる。本研究では、最初にマクロな溶液内流動とマクロステップ構造の関係を反映したマルチフィジクスシミュレーションを構築する。次に、機械学習を組み合わせることで、装置制御パラメータおよび装置構成を即座に検索するシステムを構築する。
我々はこれまでに、数百通りのシミュレーションデータを用いて機械学習を行うことで、流体力学シミュレーション結果を高速に予測する手法を確立してきた。当該年度は、さらに結晶成長界面におけるステップ構造の時間発展などをシミュレーションするモデルを新たに開発し、それらをダイレクトに予測するモデルの構築を行った。特に、この研究では平坦な結晶成長を行うことが重要であるが、このモデルを用いることで、適切な高温溶液の物性を予測すること可能となった。また、このモデルとマクロな温度・流れ・組成分布の予測と練成させることで、CFD計算から表面構造を予測するための基盤技術の構築もできた。
これらのシステムにより、大口径SiC結晶成長のための条件を機械学習により導き出し、実際に実験を行ったところ、当初予定であった3インチの結晶成長に成功し、さらには当初予定をはるかに超える6インチの結晶成長にも成功した。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

1: 当初の計画以上に進展している

理由

当該年度の最大の課題は、マクロステップの形成過程のシミュレーションを完成させて、それをモデル化するところにあった。途中、繰り越しをする事態になったものの、モデル化に関しては完成させることができた。また、それを活用することで、当初予定していた3インチの結晶成長をはるかに上回る6インチの結晶成長を実現することもできた。そのため当初計画を大きく上回る進捗があったと考えている。

今後の研究の推進方策

今後の課題は、さらなるモデルの高度化にある。まだ、現実とモデルが一致していない部分がある。これについては、さらに実験を重ねて、マクロステップ構造に関するデータを増やしていって、機械学習の精度を上げていく。これまで、観察に関してはすべて手動で行っており、マンパワーの課題があったが、それについては用いる装置を変更し、技術職員と連携することで解決していく。

  • 研究成果

    (9件)

すべて 2019 その他

すべて 国際共同研究 (2件) 雑誌論文 (2件) (うち国際共著 1件、 査読あり 2件) 学会発表 (5件) (うち国際学会 5件、 招待講演 2件)

  • [国際共同研究] ビクトリア大学(カナダ)

    • 国名
      カナダ
    • 外国機関名
      ビクトリア大学
  • [国際共同研究] ニューヨーク州立大学(米国)

    • 国名
      米国
    • 外国機関名
      ニューヨーク州立大学
  • [雑誌論文] Application of C-face dislocation conversion to 2 inch SiC crystal growth on an off-axis seed crystal2019

    • 著者名/発表者名
      Liu Xinbo、Zhu Can、Harada Shunta、Tagawa Miho、Ujihara Toru
    • 雑誌名

      CrystEngComm

      巻: 21 ページ: 7260~7265

    • DOI

      10.1039/C9CE01338E

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Three-dimensional numerical analysis of Marangoni convection occurring during the growth process of SiC by the RF-TSSG method2019

    • 著者名/発表者名
      Wang L.、Horiuchi T.、Sekimoto A.、Okano Y.、Ujihara T.、Dost S.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 520 ページ: 72~81

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2019.05.017

    • 査読あり / 国際共著
  • [学会発表] Machine learning for SiC crystal growth (modeling, optimization and visualization)2019

    • 著者名/発表者名
      T. Ujihara
    • 学会等名
      International Symposium & School on Crystal Growth Fundamentals
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Threading Screw Dislocations Conversion and Suppression of Inclusions in 3-inch 4° off-axis C-face 4H-SiC Solution Growth with Pure Si2019

    • 著者名/発表者名
      TAKAMA UNNO, CAN ZHU, SHUNTA HARADA, HARUHIKO KOIZUMI, MIHO TAGAWA, TORU UJIHARA
    • 学会等名
      ICSCRM2019
    • 国際学会
  • [学会発表] The control of conduction type in high quality bulk solution growth of SiC2019

    • 著者名/発表者名
      Can Zhu, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
    • 学会等名
      ICSCRM2019
    • 国際学会
  • [学会発表] Application of high-quality SiC solution growth to large size crystal2019

    • 著者名/発表者名
      Can Zhu, Tomoki Endo, Takama Unno, Haruhiko Koizumi, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
    • 学会等名
      ICSCRM2019
    • 国際学会
  • [学会発表] PREDICTION MODEL OF COMPUTATIONAL FLUID DYNAMICS BASED ON NEURAL NETWORK CONSTRUCTED BY MACHINE LEARNING AND PROCESS OPTIMIZATION OF SIC SOLUTION GROWTH2019

    • 著者名/発表者名
      T. Ujihara, Y. Tsunooka, H. Lin, C. Zhu, T. Narumi, K. Kutsukake, S. Harada, M. Tagawa
    • 学会等名
      ICCGE-19
    • 国際学会 / 招待講演

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公開日: 2024-12-25  

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