| 研究課題/領域番号 |
18H05250
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
大区分D
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
板谷 治郎 東京大学, 物性研究所, 准教授 (50321724)
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| 研究期間 (年度) |
2018-06-11 – 2023-03-31
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| キーワード | 極短パルスレーザー / 高強度レーザー / 高次高調波発生 / アト秒科学 / 超高速分光 / 軟X線分光 / 非線形光学 |
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| 研究成果の概要 |
高平均出力をもつ次世代高強度レーザーを開発することにより、Ti:Sapphireレーザー技術による限界を打破し、アト秒光源を「物質科学のツールとして使える光源」とすることを目標として研究開発を行った。光源開発に関しては、高平均出力Yb;KGWレーザーによって励起される位相安定な光パラメトリック増幅赤外光源の開発に成功した。軟X線アト秒パルスの利用研究に関しては、窒素K吸収端(光子エネルギー 400 eV)における軟X線アト秒パルスを用いた過渡吸収分光を実現した。また、高強度極短パルス光源の新しい利用技術の探索を行い、気相原子・分子および固体・液体における新奇現象を観測した。
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| 自由記述の分野 |
レーザー物理
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
Yb固体レーザーで励起された光パラメトリック増幅器の実証により、より高出力のYb固体レーザーを用いた場合の高出力化に関するスケーリングを確立した。この結果は、将来的に実験室規模の装置でアト秒精度の軟X線過渡吸収分光が実現可能であることを意味しており、化学反応の基礎過程や光電場で駆動された固体中の電子ダイナミクスに関して今後新たな知見が得られることが期待できる。前者は触媒反応の素過程などの理解につながるものであり、エネルギー科学における貢献といえる。後者は、ペタヘルツ領域の光エレクトロニクスの基礎となるものであり、将来の高度情報化社会を支える基盤技術につながるものである。
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