| 研究課題/領域番号 |
18J20858
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
秋山 颯太 北海道大学, 大学院総合化学院, 特別研究員(DC1)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-25 – 2021-03-31
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| キーワード | 不斉反応 / ホウ素化 / 含フッ素化合物 / 銅(I)触媒 |
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| 研究実績の概要 |
含フッ素化合物は、そのフッ素原子の特徴的な性質から多くの医薬品や農薬に用いられており、近年それらの合成につながる有用な合成法や合成ブロックの開発が盛んに行われている。
最近複数のグループが、多様な含フッ素化合物を与える有用な合成ブロックの一つである、含フッ素ホウ素化合物の合成を報告している。その流れの中で我々は、アリルフッ素化合物に対するボリル銅(I)錯体触媒の付加と、続く銅(I)活性種のβ-フッ素脱離を鍵とした、様々な含フッ素ホウ素化合物の合成を行った。まず行ったのが銅(I)活性種のβ-フッ素脱離を鍵とした、光学活性含フッ素アリルホウ素化合物の合成である。得られる化合物はホウ素基を利用した立体特異的変換反応により、多様な光学活性含フッ素化合物を与える。特に光学活性γ-モノフルオロアリルホウ素化合物は、アルデヒドを用いた立体特異的アリル化反応により含フッ素四級不斉中心を含む連続不斉点を形成できる、有用なキラルモノフルオロ合成ブロックである。これらの内容については現在論文投稿後の査読中である。
また、トリフルオロメチル基を有するアレンに対して同様のストラテジーを用いることによる含ホウ素gem-ジフルオロジエン化合物の合成にも成功しており、こちらの内容も現在論文投稿準備中である。得られる化合物はホウ素基を利用したクロスカップリング反応により、ジフルオロアルケン骨格を有する多様な化合物を与える。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
本年度は、研究実施計画に示した通り研究が進んだものと思われる。本年度はまず、5月に実施計画に示していた内容の1つである「βフッ素脱離を伴う不斉ホウ素化反応による、光学活性gem-ジフルオロアリルホウ素化合物の合成」に関する論文を,
化学系学術雑誌の一つであるAngew誌に掲載することができた。また、その内容を更に発展させた内容に関する論文2報についても現在投稿、または論文準備中である。これらの内容を鑑みると研究計画に示した通り、またはそれ以上の実績を上げることができたものと考えられる。
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| 今後の研究の推進方策 |
より多様な含フッ素ホウ素化合物の合成を行っていく予定である。具体的にはまず、βフッ素脱離を鍵反応として、脱芳香族を伴う含ホウ素ジフルオロ化合物の合成に取り組む。さらにトリフルオロメチルケトンやジフルオロメチルケトンに対して不斉銅(I)触媒を作用させ、その後アルデヒドなどの求電子剤と作用させることによる光学活性含フッ素化合物の合成にも取り組む。また、フッ素化合物を持たない化合物に対してSelectfluorなどの求電子フッ素化剤とボリル銅活性種を作用させることによるフッ素化ホウ素化反応の開発も行っていきたいと考えている。
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