| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
概要欄に記載したとおり、正方晶Ce化合物が示す量子臨界現象と基底状態Ce 4f 対称性の相関を系統的に調べる手法の確立に成功した。圧力誘起超伝導体CeCu2Ge2の基底状態Ce 4f対称性に関する研究成果は、Physical Review B Rapid Communication誌に掲載され[1]、 国際会議において招待講演を行なった[2]。
また、研究協力者と共に、正方晶Ce化合物CeRu2Si2, CeAgSb2、及びYb化合物(YbNi2Ge2,YbAlB4)に対する研究を推進し、その結果を学会で発表した。さらに、本課題のもう一つの柱である３d遷移金属酸化物に対する研究も推進し、銅酸化物高温超伝導体やペロブスカイト型Mn酸化物に対する直線偏光依存内殻HAXPESの研究成果について学会発表を行った。
以上のことから、「おおむね順調に進展している」と判断できる。
[1] H. Aratani, Y. Nakatani, H. Fujiwara, et al., Phys. Rev. B 98, 121113(R) (2018)
[2] H. Fujiwara, “Revising the 4f symmetry in CeCu2Ge2 probed by polarized hard X-ray photoemission spectroscopy”, International Workshop on Trends in Advanced Spectroscopy in Materials Science, Hiroshima University, Oct. 2018.
|
