研究課題
基盤研究(C)
非従来型超伝導や金属絶縁体転移等の特異な物性を示す強相関化合物において、希土類4f軌道や遷移金属３d軌道等、強相関軌道の対称性が異常物性発現の重要な役割を担う。我々は強相関軌道の対称性を元素選択的に決定するべく、硬X線角度分解内殻光電子分光および軟X線吸収分光の直線偏光依存性を組み合わせた新しい研究手法を開発した。この手法を正方晶Ce化合物に対し適用し、その結晶場基底状態を実験的に解明可能であることを明らかにした。
強相関電子物性
本研究で開発した微視的分光手法は、光学過程で生成する内殻ホールを利用するため、元素選択的・サイト選択的、かつ局所的対称性に極めて敏感である。また中性子散乱実験で問題となるような測定困難な元素種も無いため、応用範囲が広く学術的な波及効果は極めて高い。また、次世代酸化物エレクトロニクス材料への応用が可能であるため、省エネルギーデバイス材料研究においても利用が期待できる。
