希土類キラル金属磁性体で解明すべき学理はスピン分裂したフェルミ面による反対称磁気相互作用である。分裂は局所電場を介したスピン軌道相互作用による格子とスピンの結合によるものである。この研究では希土類キラル金属の磁気相互作用が伝導キャリア密度で制御できることを明らかとした。これは、磁気相互作用がフェルミ面の変化に敏感であることを示唆し、学術的に意義のある知見である。 社会的な意義として、磁気相互作用のキャリア密度による制御の応用研究がある。例えば、電場による伝導キャリアの注入で磁気相互作用が制御できれば、磁性を自由に調整できる新しい材料となる。現在、薄膜を用いて電場効果の研究が進められている。
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