二次元電子系における金属絶縁体転移および銅酸化物超伝導体の電子状態を議論するため正方格子ハバードモデルについて、新たに開発したLanczos厳密対角化法を用いたデュアルフェルミオン法を用いて調べた。 特に銅酸化物超伝導体における異常金属状態、擬ギャップ状態、超伝導状態、相分離状態の形成と、それらの反強磁性揺らぎとの関連について総合的な研究を行った。また、デュアルフェルミオン法の計算を多軌道系へ適応するためのソフトウエアの開発も行った。さらに、実験の研究者と協力し、LaCoO3やCaCu3Ru4O12などの遷移金属酸化物の電子状態についても議論した。
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