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太陽電池やイメージセンサー等の半導体デバイスの性能は、デバイス内の欠陥によって制限される。通常、これらの欠陥は、デバイス作製に用いるプラズマプロセスによって発生することが知られているが、その詳細なメカニズムは理解されていなかった。そこで、本研究では、太陽電池用途の水素化アモルファスシリコンと結晶シリコンのヘテロ接合を取り上げ、欠陥をデバイス作製時にその場でリアルタイムに検出し、欠陥の発生と修復のメカニズムを解明する研究を進めた。得られた結果として、欠陥の発生と修復には水素原子が密接に関与しており、水素原子の供給を適切に制御することで低欠陥界面が実現され、デバイスの高性能化に繋がることを示した。
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