研究課題
基盤研究(C)
半導体デバイスの製造に欠かせない化学的機械研磨において、ウェーハと研磨パッド間の隙間にミクロなスラリー循環流れが存在することが分かってきた。本研究において、銅研磨のみならずガラス研磨においてもスラリー循環流れの数が多いほど研磨能率が大きくなる傾向にあることが分かった。また、研磨能率が大きくなる研磨パッド表面形状について定量的に推測する有望な方法を見出した。
研磨
本研究の成果は、半導体デバイスの製造に欠かせない化学的機械研磨の研磨メカニズムの解明に貢献するとともに、研磨能率の向上につながる成果である。半導体デバイス製造全体の消耗品に占める割合が大きいとされる化学的機械研磨において、研磨能率の向上は消耗品であるスラリー使用量の削減に直結する。したがって本研究の今後の発展によって、半導体デバイス製造における環境負荷低減が期待できる。
