研究課題/領域番号 |
18K04226
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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研究機関 | 電気通信大学 |
研究代表者 |
内田 和男 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授 (80293116)
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研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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キーワード | UV-LED / 窒化物半導体 / 酸化物半導体 / 有機金属気相成長法 / RFスパッタリング / トンネル接合 / AlGaN / ZnO |
研究成果の概要 |
n-ZnOトンネル層を組み込んだAlGaN UV-LEDの発光に成功し、その電気特性評価でn-ZnOによるトンネル抵抗が確認され、低電流注入においてZnOトンネル層による正孔注入で向上された発光が得られた。さらに、p-AlGaN/n-ZnOトンネル接合のエネルギーバンド構造の理論解析を行い、接合界面で局在する負の分極電荷による電場が正孔注入効率改善に寄与する事を明らかにした。
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自由記述の分野 |
半導体工学、結晶成長、半導体物性
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研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究では窒化物半導体と酸化物半導体のハイブリッド化による新規高機能デバイスとしてのn-ZnOトンネル層を有するAlGaN UV-LEDの作成プロセス開発と物性の探索を行い、新たな学術的知見が得られた。また研究結果は、現在、世界規模で蔓延するコロナウイルスを不活化できる深紫外LEDの問題点である、高抵抗、低効率の改善に寄与することを明示しており、社会的意義は高い。
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