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本研究では、(a)自己形成GaN:Euナノコラムを用いたLEDデバイスの作製、(b)選択成長法を用いたGaN:Eu規則配列ナノコラムの作製、(c)GaN:Eu薄膜結晶の光学物性評価の3つのテーマに取り組んだ。(a)では、RF-MBE法によりp-GaN/GaN:Eu/n-GaN構造をもつナノコラムを作製し，整流特性を得て，電流の変化によって波長がほとんど変化しない赤色発光デバイスを実現した。(b)では、Ti層を成長抑制のためのマスクとした選択成長技術を用いてGaNナノコラム結晶の規則配列化を達成し，GaN:Eu層を形成することで規則配列GaN:Euナノコラムを得た。またナノコラムサイズにより発光中心を制御できる可能性を見出した。(c)では、(3)Eu濃度の異なるGaN:Eu薄膜結晶についてPL-PLEマッピング法を用いて結晶中に含まれるEu発光中心の分布を調べた。低Eu濃度では単一サイト化されることが示された。
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