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2019 年度 実施状況報告書

二元系金属酸化物を用いた抵抗変化現象における量子化コンダクタンスの発現

研究課題

研究課題/領域番号 18K04234
研究機関京都大学

研究代表者

西 佑介  京都大学, 工学研究科, 助教 (10512759)

研究期間 (年度) 2018-04-01 – 2021-03-31
キーワード抵抗変化 / 金属酸化物 / 量子化コンダクタンス / 熱処理 / 酸素空孔
研究実績の概要

今年度は、Pt/NiO/Pt素子におけるリセット特性の実験および理論的検証、Pt/NiO/Pt素子に対する熱処理の効果の調査、などを実施した。
Pt/NiO/Pt素子で確認されたコンダクタンスの連続的な変動は、電界のみならず単なる熱によって消失しうる特性を示すことを前年度に明らかになっている。そこで、素子に電圧を印加した場合に発生するジュール熱の観点から、電圧掃引速度依存に関するリセット特性の実験および理論的検証を進めた。その結果、量子ポイントコンタクトを含む導電性フィラメントに比べて十分サイズの大きなフィラメントを有する低抵抗の素子に対して、ジュール熱によるリセットの発現を定性的に示すことができた。
一方、量子化コンダクタンスの発現は堆積条件が非常にシビアであることもあり、意図しないトラブルによる実験器具の一新を余儀なくされて以降、素子作製直後の量子化コンダクタンスの発現が極めて困難な状況になってしまっている。そこで、量子化コンダクタンスの発現に大きく関わるNiO粒界中の酸素空孔を、素子に熱処理を施すことによって制御することを試みた。さらなる追実験を重ねる必要はあるが、素子作製の後処理としての熱処理が素子のコンダクタンス特性に明確な系統的変化を与えることを確認することができた。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

3: やや遅れている

理由

堆積直後のPt/NiO/Pt素子における量子化コンダクタンスの発現確率の劇的な低下に見舞われ、新たな実験器具を用いた堆積条件の最適化に相当な時間を要している。一方、素子作製後に熱処理を導入することにより、フォーミング特性の変化に一定の効果があることを確認することができつつある。今後は熱処理条件として、熱処理温度や時間のみならず雰囲気ガスの効果に関してもより詰めていく必要があると考えている。

今後の研究の推進方策

次年度も引き続き、Pt/NiO/Pt素子での量子化コンダクタンスの発現確率向上のため、素子形成後の熱処理を実施する予定である。作製直後の状態にも大きく依存するが、素子の微視的な構造変化を抑制すべく、低温・長時間の熱処理の導入により、NiO粒界中の酸素空孔の精緻な制御を図る予定である。

次年度使用額が生じた理由

想定外の装置トラブルにつき当初予定よりも実験が遅れているため、約20万円次年度に繰り越すことになった。

  • 研究成果

    (10件)

すべて 2020 2019

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (7件) (うち国際学会 3件)

  • [雑誌論文] Unique resistive switching phenomena exhibiting both filament-type and interface-type switching in Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO_3-δ/Pt ReRAM cells2020

    • 著者名/発表者名
      Naoki Kanegami, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 116 ページ: 013501

    • DOI

      10.1063/1.5131090

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Dominant conduction mechanism in TaOx-based resistive switching devices2019

    • 著者名/発表者名
      Toshiki Miyatani, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 ページ: 090914

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab3b68

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Two modes of bipolar resistive switching characteristics in asymmetric TaOx-based ReRAM cells2019

    • 著者名/発表者名
      Toshiki Miyatani, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
    • 雑誌名

      MRS Advances

      巻: 4 ページ: 2601-2607

    • DOI

      10.1557/adv.2019.316

    • 査読あり
  • [学会発表] Impacts of an Asymmetric Stack Structure in TaOx-Based ReRAM Cells on Resistive Switching Characteristics2019

    • 著者名/発表者名
      Toshiki Miyatani, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
    • 学会等名
      Materials Research Society Symposium Spring Meeting
    • 国際学会
  • [学会発表] Effects of Crystallinity and Oxygen Composition on Forming Characteristics in TMO-Based Resistive Switching Cells2019

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Nishi, Masaya Arahata, Tsunenobu Kimoto
    • 学会等名
      Materials Research Society Symposium Spring Meeting
    • 国際学会
  • [学会発表] Coexistence of Interface-Type and Filament-Type Resistive Switching Phenomena in Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO_3/Pt Cells2019

    • 著者名/発表者名
      Naoki Kanegami, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
    • 学会等名
      Materials Research Society Symposium Spring Meeting
    • 国際学会
  • [学会発表] Pt/TaOx/Ta_2O_5/Pt素子における2種類のバイポーラ型抵抗変化の遷移過程で見られるアナログ抵抗変化2019

    • 著者名/発表者名
      宮谷 俊輝、西 佑介、木本 恒暢
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
  • [学会発表] PtまたはTiN下部電極上の遷移金属酸化物の結晶性および抵抗変化特性2019

    • 著者名/発表者名
      山田 和尚、西 佑介、木本 恒暢
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
  • [学会発表] Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnOx/Pt素子における界面型抵抗変化現象の解析2019

    • 著者名/発表者名
      金上 尚毅、西 佑介、木本 恒暢
    • 学会等名
      応用物理学会秋季学術講演会
  • [学会発表] Ta酸化物を用いた抵抗変化素子の電気伝導機構2019

    • 著者名/発表者名
      宮谷 俊輝、西 佑介、木本 恒暢
    • 学会等名
      第39回電子材料シンポジウム

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公開日: 2021-01-27  

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