本研究の目的は,高屈折率差サブ波長構造を有する,可視~紫外域メタ表面型GaN系光デバイスを開発することである。 本目的を達成するため,サブ波長周期構造内の光状態の形成条件と光伝搬特性に関する電磁波解析を行い,集光特性などの理論的予測を行った。実際に波長280nmの紫外LED表面に高屈折率材料TiO2を配列し,輻射光を幅2mmにコリメートし,その光出力を1.79倍増強するメタレンズ一体型高効率深紫外LEDを実証した。 また,LEDの高機能化・LED表面への実装を念頭に,サブ波長構造を用いた415nm帯GaN系高感度屈折率センサーを設計し実証した。
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