| 研究課題/領域番号 |
18K04253
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
阿澄 玲子 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究部門長 (40356366)
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| 研究分担者 |
橘 浩昭 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長 (10357428)
溝黒 登志子 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (90358101)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| キーワード | 単原子層薄膜 / ゲルマニウム / 無機－有機ハイブリッド |
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| 研究成果の概要 |
本課題は、化学的な手法を用いてゲルマニウム層の間に「絶縁層」となる様々な有機基を導入することにより、高品質なゲルマニウム単原子層膜の積層膜を基板上に作製し、ゲルマニウム層を究極的に薄くすることに由来する物性を活かした電子デバイスの部材とすることを目標とした。溶液からの有機基導入の条件を最適化することにより、長さの異なるアルキル基を同一層間に導入できることを見出すなど、ゲルマニウム層の構造と光・電気特性を制御する一手段を明らかにした。
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| 自由記述の分野 |
材料化学、有機エレクトロニクス
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
人工的な超格子構造をもつ電子・光機能材料の簡便な作製方法を提案した。これは、材料の構造と光・電気特性との関係の解明に役立つばかりでなく、将来の低消費電力な電子デバイスや光デバイスの開発につながりうるもので、IoT社会の発展とエネルギー問題の解決の両立に貢献可能である。
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