自己発熱効果フリー超高集積p/n積層NW/FinFETと6T-SRAM

2020 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 18K04258
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 若林 整 東京工業大学, 工学院, 教授 (80700153)
• 研究分担者: 宗田 伊理也 東京工業大学, 工学院, 助教 (90750018)
• 研究期間 (年度): 2018-04-01 – 2021-03-31
• キーワード: Nano-wire / FinFET / 自己発熱効果

研究成果の概要

超低消費電力LSI向けMOSFET技術について、Nano-wire (NW)構造による微細化が有効である。しかし自己発熱による駆動電流低下が問題であり、FinFET上にNWを積層することで基板へ通じる放熱経路を確保(リセスコンタクト)することが有効である。そこでp/n積層NW/FinFETsによるInverterやTransfer gate, NOR, NAND, 多入力NOR/NAND, SRAM について、自己発熱効果抑制と面積削減効果を明らかにした。次に本構造ではNANDよりもNORで自己発熱効果が顕著であるが、5入力までであれば駆動電流を大きく維持できることを明らかにした。

自由記述の分野

集積回路工学

研究成果の学術的意義や社会的意義

この成果は今後のLogic LSIの高性能化のために重要な知見であると考えられ、今後のサステナブル社会に資すると考えられる。