研究課題
基盤研究(C)
ナノスケール領域における誘電率イメージングは，微細化・高性能化が進む電子デバイスの発展と相まって，その重要性が今後ますます高まる評価技術の一つとなるものと考えられる．そこで本研究では10^-22 Fオーダという非常に高い静電容量検出感度を有する走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）を用いて，線形誘電率のイメージングを可能とする手法（∂C/∂z-SNDM法）の開発を行った．
誘電体工学
本研究を通じて∂C/∂z-SNDM法がナノスケール領域における誘電率分布を可視化する手法として有効であることが示された．本手法は今後様々な様々な測定対象に展開されてゆくと考えられる．具体的には，微細化するFETデバイス等における酸化膜のナノスケール評価への展開が期待される． また，近年開発が盛んなナノコンポジット材料やナノ結晶材料，ナノシート材料などの新奇ナノ材料も，本手法が有用となる測定対象の例として挙げることができる．
