2020 年度研究成果報告書

Heavy group III, IV, and V elements triangular lattice atomic layers on semiconductor surfaces - a new kind of 2D Dirac materials

研究課題

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研究課題/領域番号	18K04941
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
審査区分	小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
研究機関	九州大学
研究代表者	Anton V.Visikovs 九州大学, 工学研究院, 助教 (70449487)
研究期間 (年度)	2018-04-01 – 2021-03-31
キーワード	Spin polarization / Dirac materials / 2D layer / semiconductors
研究成果の概要	周期表の III、IV、および V 族の高密度三角格子 2D 材料は、安定であるとは予想されませんでした。私たちの研究は、重要な基板相互作用 (SiC 基板) により、この形態が最も安定していることを示しています。これらの物質における電子相互作用は、非常に特異な性質を持っています。三角形構造にもかかわらず、堅牢なディラック電子分散が形成されます。スピン偏極状態には 2 種類あります。今までに見られなかった現象。これは、電子相互作用における対称性に関する私たちの理解を変えます。この基本的な特性は、将来のスピントロニクスデバイスで使用できます。
自由記述の分野	表面物理
研究成果の学術的意義や社会的意義	新しいクラスの 2D マテリアルが見つかりました。重要な学術的含意: 電子雲の対称性がさまざまなスピン相互作用をどのようにもたらすかについてのこれまでの理解は完全ではなく、別の考慮事項を考慮に入れる必要があることを示しました。社会にとって、この結果は重要です。なぜなら、適切な材料生成技術を使えば、この現象を将来の高効率計算デバイスで使用できるからです。