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本研究の成果を以下にまとめる。【①新規なn型及びi型半導体薄膜材料の開発】新規なi型もしくはn型半導体材料の探索においては、Zn-Ge-O系半導体薄膜をベースに半導体層の種類と光電変換特性との関係を明らかにした。しかしながら、上記の材料の中には変換効率１０％を超える物質を見出すことはできなかった。【②Cu2Oシートの荷電子制御およびｎ形半導体薄膜成膜技術の高度化】Naを含有する化合物等の雰囲気中で熱処理を行うことにより、Cu2Oシートの低抵抗化を実現できた。また、PLD法やゾル・ゲル法等の化学的な成膜技術においては、半導体薄膜/Cu2Oシート界面状態の基本的な制御技術を確立できた。
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