| 研究課題/領域番号 |
18K04955
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
小林 篤 東京大学, 生産技術研究所, 特任准教授 (20470114)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2022-03-31
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| キーワード | 窒化物半導体 / 電界効果トランジスタ |
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| 研究実績の概要 |
InNは優れた電気特性から、テラヘルツ領域で動作する高速電子素子や超高効率太陽電池を構成する有望な材料候補と期待されているが、厚膜InNへの不純物ドーピングという従来法ではp型/n型の制御が難しいため、新しい伝導性制御技術の開発が求められている。研究代表者らはこれまでに格子整合基板を用いることで、10nm以下の極薄膜InNの高品質化に成功しており、厚膜InNでは実現できなかった電界効果トランジスタの作製にも成功している。本研究では、研究代表者が作製するデバイスクオリティの極薄膜をプラットフォームとして、InNの伝導性制御技術の確立を目指す。
2020年度はAlN基板上に成長した極薄膜InN薄膜をチャネルとした電界効果トランジスタの作製を行った。電界効果トランジスタのオンオフ比や移動度がInNの成膜温度や膜厚に強く依存していることを明らかにし、系統的な実験を通じて、素子構造の最適化が達成された。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
3: やや遅れている
理由
新型コロナウイルス感染症拡大の影響で、研究施設の使用が制限されたため。また、発表を予定していた国際会議が延期された。
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| 今後の研究の推進方策 |
前年度、新型コロナウイルス感染症拡大の影響で遅延していた成果公表を行う。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
新型コロナウイルス感染症の影響で予定されていた学会等が次年度以降に延期された。残りの経費は次年度に成果報告を行うために使用する。
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