| 研究課題/領域番号 |
18K04959
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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| 研究機関 | 鳥取大学 |
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研究代表者 |
市野 邦男 鳥取大学, 工学研究科, 教授 (90263483)
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| 研究分担者 |
赤岩 和明 鳥取大学, 工学研究科, 助教 (90778010)
阿部 友紀 鳥取大学, 工学研究科, 准教授 (20294340)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| キーワード | 電気伝導性制御 / ワイドバンドギャップ / バンド端エネルギー / 硫化物半導体 |
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| 研究成果の概要 |
ワイドバンドギャップ硫化物半導体のZnSをベースとするZnMgSTe 4元混晶を作製し，各バンド端エネルギーを制御することで，p型化とバンドギャップ制御の両立を目指した．結晶成長条件の検討により広い組成範囲の結晶が得られ，バンドギャップの制御を確認した．また，Nアクセプタを添加したp型ZnMgSTeの抵抗率が，ZnSTeと同様，主にTe組成に依存することがわかった．これらの結果は提案モデルの妥当性を示すと考えられる．
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| 自由記述の分野 |
半導体工学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究は，ワイドバンドギャップ硫化物半導体の物性制御に関わる基礎的な研究であり，学術的にはバンド端エネルギー位置と電気伝導性の相関の可能性を実験的に示すことができた．なお，潜在的な応用分野は発光・受光素子の他，光触媒反応を含む半導体を用いた酸化・還元など化学反応など幅広く，また硫化物に限定されない種々の半導体に適用できる可能性もある．このように，将来的に種々の半導体の応用分野を広げる可能性を示したと考えられる．
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