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金属イオンドープ基板を金属有機構造体（MOF）形成における前駆体として用い、核形成および核成長速度制御に基づくMOF連続膜形成技術の開発を行った。その結果、基板にドープした金属イオンの溶出速度および錯形成速度を調整することによりMOF結晶における核形成・核成長速度を制御することが可能であった。核形成・核成長速度を制御することによりMOF膜を形成する結晶サイズを制御することが可能となり、さらにそれぞれの結晶が融合した連続膜を形成することに成功した。本手法は、様々なMOFだけではなく、結晶内に孔を有していない配位高分子などに対しても適用可能であることを明らかにした。
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