| 研究課題/領域番号 |
18K11210
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分60040:計算機システム関連
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
松本 高士 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (70417369)
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| 研究分担者 |
西澤 真一 埼玉大学, 理工学研究科, 助教 (40757522)
小林 和淑 京都工芸繊維大学, 電気電子工学系, 教授 (70252476)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2024-03-31
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| キーワード | 常時起動デバイス / 信頼性 / 経年劣化 / 特性ゆらぎ / IoT |
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| 研究成果の概要 |
経年劣化や特性ゆらぎが性能に及ぼす影響は微細化・高集積化に伴って大きくなっている。経年劣化データの取得には温度や電圧などを上昇させる加速試験が一般的に行われているが、専用の高価な測定系を用いており長時間占有することはできないという問題をふまえて、本研究では安価な低電力機器のみを用いて一般的なリング発振回路における連続する１か月超の長期にわたる劣化データを様々な動作電圧や温度のもとで測定した結果を収集できるようにした。また、リング発振回路と同じ製造テクノロジを用いたトランジスタにおいて長期間劣化を含む劣化モデルの回路シミュレーション環境での表現方法（コンパクトモデル）を提案している。
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| 自由記述の分野 |
CMOS Circuit Reliability
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
研究を開始した当初は、経年劣化データは専用の高価な測定系を占有して加速試験によって数時間程度測定して得ることが一般的であった。本課題ではそのような高価な測定装置を購入することなく、市販されている比較的安価なFPGAやマイコンによる測定系でリングオシレータの発振周波数の長時間劣化データを取得できることを実証し、さらにリングオシレータを構成するトランジスタと同じ製造テクノロジで単体トランジスタの劣化測定を実施することでより有用なコンパクトモデルを得るための基礎的な環境を得られたことに意義があるといえる。
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