本研究では、次世代のパワーデバイス応用に不可欠なp型酸化物半導体として酸化ニッケル (NiO) に注目し、低環境負荷で高品質な成膜が可能なミストCVD法を用いた成膜を行った。結果として、α-Al2O3基板及びMgO基板上に高品質なNiO薄膜の成長を実現した。また、p型の導電性制御として、Liドーピングを試み、広い範囲にわたるキャリア濃度制御を実現した。 次に、デバイス応用を見据えて、β-Ga2O3 (100)基板上にNiO:Li (100)を成長させ、双晶の生じない単結晶NiO:Liの成長条件を見出した。高い整流比と絶縁破壊電圧を示すヘテロ接合ダイオードを試作した。
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