結晶シリコンを化学的転写法によって溶解させることで、ナノ結晶シリコン層/結晶シリコン構造を形成した。透過電子顕微鏡観察によって、化学的転写法の反応条件を検討し、均一なナノ結晶シリコン層の形成を可能とした。シリコンナノ結晶層の空孔率は、エリプソメトリー解析から見積もり、バンド構造は、X線光電子分光測定、フォトルミネッセンス測定、ケルビンプローブフォース顕微鏡測定から見積もった。本研究によって急峻なバンド構造を有するナノ結晶シリコン層/結晶シリコン構造の形成を可能とした。ナノ結晶シリコン層へのボロン拡散工程の改良によって高効率化の可能性を見出した。
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