|
窒化ガリウム系半導体をはじめとするワイドギャップ半導体は、光・電子デバイス応用に向けて近年大きな注目を集めており研究が盛んに行われている。例えば近年では、次世代の超高精細ディスプレイとして実現が期待されている「マイクロLEDディスプレイ」など、微細な半導体素子を用いた新たなデバイスが数多く提案されている。一方で、これら微細な素子は、表面の露出面積が大きいため、半導体表面に形成される欠陥の影響を強く受けることが課題となっている。本研究では、半導体表面の欠陥がデバイスに与える影響を定量的に評価する手法として二光子光電子分光法という手法を提案し、次世代デバイスの設計指針を与える重要な成果を得た。
|
