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ハードディスクの読み取りセンサなど、微小な空間の磁気を検出する磁気センサの実現には、素子抵抗が小さく、センサの出力である磁気抵抗比が大きな、面直通電型の巨大磁気抵抗（CPP-GMR)素子が重要である。本研究では、高いスピン分極率をもつホイスラー合金強磁性層と、新規な導電性酸化物と非磁性金属のコンポジットスペーサーを開発により、実用素子で世界最高となる従来比2倍以上の磁気抵抗比を実現した。これは、スペーサー前駆体であるAg-In-Zn-Oとホイスラー合金中のMnの酸化還元反応により、MnOマトリックス中にナノサイズのAgパスが分散した電流狭窄構造が自己組織化したためであると確認された。
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