研究課題
若手研究
次世代磁気メモリ(HDD、 MRAMなど)の応用には、超薄膜化および磁気抵抗比と面積抵抗がバランスした特性の面直電流磁気抵抗素子の実現が重要な課題である。本研究は磁気抵抗素子スペーサー層の新材料として、従来の酸化物と金属材料に代えて、原子層物質のグラフェンを提案した。グラフェンと高スピン偏極ホイスラー合金の積層化技術の確立により、グラフェンスペーサーとホイスラー合金磁性電極と組み合わせた新しい構造の面直電流磁気抵抗素子の開発を行った。
スピントロ二クス
本研究のホイスラー合金/グラフェン/ホイスラー合金磁気抵抗素子の研究成果は、磁気メモリの超高密度化を可能にするブレークスルー技術であり、次世代情報デバイスの省エネ化やスピントロ二クス技術の発展に貢献することが期待できる。