次世代の高速・透明ディスプレイに向けて、良好な電気特性や小さい光応答を示すアモルファス酸化物半導体(AOS)材料の開発が求められている。しかし、高性能を期待できる材料は欠陥制御が困難、というトレードオフの関係が知られており、新たな欠陥制御技術の開発が望まれていた。そこで本研究では電界効果や水素を使った独自の欠陥制御技術を確立し、高性能なトランジスタを実証することを目的とした。4eVを超える超ワイドバンドギャップをもつa-GaOであっても水素を添加することで欠陥制御ができ、トランジスタの動作電圧を改善できることを見出した。
|