Bi系III-V族半導体のMBE成長中の点欠陥形成メカニズムやそれら点欠陥とBi原子との複合欠陥の結晶内での配置は、当該半導体においてはほとんど未解明である。これらを材料科学や結晶工学の観点から明らかにしつつ、従来は排除される方向にあった結晶欠陥を生かしながら当該半導体の低温成長領域を新たに開拓し、新規テラヘルツデバイスを実現しようという点に本研究の新しさやオリジナリティがある。本研究成果は、その基礎となる最初の知見やデータであり、今後の低温成長Bi系III-V族半導体の物性解明や結晶成長条件の探索の方向性を定めたものと学術的に位置付けることができる。
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