| 研究課題/領域番号 |
18K14300
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
相見 順子 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主任研究員 (80579821)
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| 研究期間 (年度) |
2018-04-01 – 2021-03-31
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| キーワード | 有機トランジスタメモリ / スターポリマー / フタロシアニン |
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| 研究実績の概要 |
本研究は、機能性分子をコアにもつスターポリマーをナノフローティングゲートに用いた有機トランジスタメモリ（OFETメモリ）開発を目的としている。初年度は、実施計画通り、まずはメモリデバイス性能の向上及びメモリメカニズムの詳細な解析を行った。スターポリマーのアーム長を精密重合法により調節することで、ナノフローティングゲートの薄膜内での密度を調節し、メモリ性能を向上させる従来にない新たな手法を確立した。また、ソフトな記録層材料作成にも取り組んだ。アームポリマーにn-ブチルアクリレートを導入したフタロシアニンコア型スターポリマーを新規合成し、メモリデバイス性能を評価した。得られたスターポリマーを電荷蓄積層、ペンタセンを有機半導体層として作成したメモリデバイスは、ポリマー上でのペンタセンの結晶性が悪く、電荷移動度が低いOFETであった。そのため、n-ブチルアクリレートとポリスチレンのブロックコポリマー(PnBA-b-PS)をアームとするPcコア型スターポリマーを合成した。このジブロックスターポリマーは、曲げ伸ばしが可能なフレキシブルポリマーであり、ペンタセンを有機半導体に用いたOFETメモリを作成したところ、不揮発性メモリとしての特徴を示した。ソフトなナノフローティングゲートの作成に成功したため、今後さらに、このフレキシブルなナノフローティングゲートを用いた有機メモリ開発を進める予定である。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
本年度は研究計画に沿って、メモリデバイス性能の向上及びメカニズムの詳細な解析を行った。当初の計画通り、電荷蓄積部位であるPcコアの密度を、アームポリマーの長さを精密重合法により微調整することで調節し、メモリウィンドウ（しきい値シフト）を増大させることに成功した。フレキシブルメモリに向けたソフトなナノフローティングゲートの作成に関しては、当初計画していたスターポリマーでは電荷移動度の著しく低いOFETとなったため、新たに、ポリスチレンとn-ブチルアクリレートのブロックコポリマーをアームに持つPcコア型スターポリマーを作成し、有機メモリの評価を行った。得られたスターポリマーを有するOFETメモリにマイナスのゲート電圧を印加すると、マイナスの閾値シフトが見られ、ソフトなナノフローティングゲートの作成に成功した。
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| 今後の研究の推進方策 |
まず、得られたソフトなナノフローティングゲート材料を用いた有機メモリに関して、精査する。電荷移動度、メモリウィンドウ、メモリ保持時間、書き込み繰り返し回数などの評価を行い、メモリ性能の高性能化を目指す。また、デバイス全体のフレキシブル化に挑戦する。ポリマー基板上でのOFETメモリ作成を行い、曲げた状態でのメモリ性能評価を行う。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
購入予定であった試薬を別予算で購入し、本年度はOFET測定用のプローバーを購入したため、差額が生じた。次年度は、本年度未使用分と合わせて、メモリデバイス測定装置の購入を計画している。
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