ピエゾエレクトロニック磁気抵抗素子の記録層材料として垂直磁気方位製を有したアモルファスSmFe2層を実現し,その磁気異方性の起源を放射光測定で明らかにした.さらにピエゾエレクトリック磁気抵抗素子の磁気抵抗素子部分として,SmFe2を記録層に含む磁気抵抗素子の試作を行い,トンネル伝導による非線形電気伝導特性を確認したが,室温において磁気抵抗変化は観測できなかった.また,圧力印加構造の動作実験として,SmFe2円柱に圧電体とその上下に電極を設けた簡易デバイスを作成し,電圧の印加に伴う磁化特性の変化を検出した.
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