本研究では,従来のオルガノシリカ膜の課題であった耐熱性を向上させるために,ヒドロシリル化反応,CH3基の架橋反応を応用した超耐熱性オルガノシリカ構造を設計し,アモルファス構造におけるカーボン割合を制御することで,オルガノシリカ構造を制御した。Si前駆体には,triethoxysilane(TRIES),vinyltrimethoxysilane(VTMS),tetramethyldisiloxane(TMDSO)を用い,架橋条件により,ネットワークサイズの制御が可能であった。700℃,N2雰囲気で製膜したSiOC膜は,500℃の酸化雰囲気で安定で,高い耐酸化性を有した。
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