| 研究課題/領域番号 |
18K18987
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
櫻庭 政夫 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (30271993)
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| 研究分担者 |
佐藤 茂雄 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (10282013)
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| 研究期間 (年度) |
2018-06-29 – 2020-03-31
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| キーワード | ペンタシリセン / 表面再配列 / 5員環 / ヘテロエピタキシャル薄膜 / Si |
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| 研究成果の概要 |
橋脚構造によって支えられたGe／Si極薄膜／Ge(100)構造形成のために、規則的に配置された開口穴と橋脚構造の形成のためのフォトマスクセット設計・製作とともに、過酸化水素水浸漬によるGeエッチングによるSi(100)極薄膜宙づり構造製作プロセスの研究を進めた結果、開口穴の直径が広がっていく様子が観察されたことから、Si極薄膜がエッチングマスクとなってSi下部のGeエッチングが横方向に進行することを確認でき、Si極薄膜宙づり構造実現の見通しが得られた。さらに、Si(100)面に特有なダイハイドライド構造が、低エネルギープラズマ照射によってモノハイドライド構造へ変化することを確認できた。
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| 自由記述の分野 |
半導体工学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
ダイヤモンド構造とは異なる“5員環のみで構成されるSi単結晶シート：ペンタシリセン”は特異な物性（例えば、格子振動や剛性）を持つことが予想され、半導体デバイスの高性能化・新機能化のための新材料候補となり、将来有望な新材料探索への新たな一歩を踏み出すことになると期待できる。また、Si(100)極薄膜における再配列現象によってダイヤモンド構造から非ダイヤモンド構造へと結晶構造転換が行えることを実証することは、表面物性と結晶工学の両面から見て学術的意義がある。
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