原子レベル熱ナノインプリント法により、ポリイミドなどのポリマー基板表面をナノ周期型超平坦表面にした後、ZnOやGa2O3などのワイドギャップ酸化物や導電性ポリマー膜を堆積して新規なフレキシブル電子素子創製のための基盤要素技術の確立をめざした。約0.3nm高さの原子ステップ超平坦サファイアモールドを用いたポリマー基板転写に成功した。超平坦ポリマー上でのPLD室温成膜により、高性能超平坦ZnO薄膜の堆積や非晶質アルミナ/配向ZnO緩衝層付きのポリマー上でのレーザーアニールによる配向性βーGa2O3結晶膜の室温合成に成功した。またポリマー上の原子ステップ型超平坦導電性有機薄膜の作製に成功した。
|