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本研究では、まず、n型グラフェンとして、ソリューションプラズマ合成技術により1-エチル-3-メチルイミダゾリウムジシアナミドを原料として陽イオン性注窒素の導入を行った結果、その平面性を維持することを可能にした。15%以上の窒素を含み、かつ、高い結晶性・平面性を有するグラフェンとしては、世界で唯一の材料である。この半導体特性を調べた結果、p型半導体特性を示すことが分かった。また、p型とn型半導体特性の効率を見るために、活性層で使用されるペロブスカイトを用いて予備実験を実施した結果、n型グラフェンとp型グラフェンの両方が太陽電池の効率を向上させる可能性があることが分かった。
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