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従来の単結晶育成に比べ、より簡便で、低温短時間の育成が可能な固相反応法による焼結体育成法を独自に考案し、様々なドーパント（Y、Ce、Ndなど）を含むSmS焼結体の育成に成功した。熱膨張評価より、これらの焼結体がこれまでの報告よりも高い温度から大きな等方的負熱膨張を発現することを見出した。また、単結晶を用いた反射分光により、電子状態の観点から、圧力印加とドーピングで価数転移が生じる温度の違いを説明した。さらに、電場による非線形伝導と歪の同時計測を可能とするシステムを構築し、SmSについてはじめて、電場による価数転移にともなう歪を直接的に計測することに成功した。
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